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    失效分析

    華進半導體檢測中心通過建立健全質量體系來實施各項測試活動。

    • 2015年6月通過ISO9001質量管理認證;

    • 2018年8月通過CNAS(中國合格評定國家認可委員會)實驗室認證。


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    中心具備微觀形貌檢測、材料金相分析、結構物理驗證、熱分析、可靠性加速試驗等先進檢測技術,支持GJB、GB、IPC、JEDEC、IEC等國內外各類原材料、元器件、模塊組件的測試與試驗標準。服務覆蓋先進半導體工藝研發、汽車電子研究、物聯網應用、可穿戴電子、醫療電子等熱門領域。

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    失效分析-DPA測試

    序號

    設備名稱

    型號

    制造商

    序號

    設備名稱

    型號

    制造商

    1

    X射線檢測系統

    Y.Cheetah

    德國

    YXLON

    7

    激光開封機

    PST 2000

    Advanced

    2

    超聲掃描顯微鏡(CSAM)

    D9600

    美國

    Sonoscan

    8

    酸開封機

    Elite-ETCH

    World   Engineering

    3

    聚焦離子束場發射掃描電子顯微鏡(DB-FIB)

    Auriga Compact

    德國

    Zeiss

    9

    自動研磨機

    Forcipol-202

    英國KEMET

    4

    場發射掃描電鏡(SEM

    SigmaHD

    德國

    Zeiss

    10

    離子拋光機

    IM4000

    日立Hitachi

    5

    臺式BSE掃描電子顯微鏡

    Phenom XL

    Phenom

    11

    手動磨拋機

    SinPOL 1000T

    西恩士

    6

    光學金相顯微鏡

    BX51/61

    Olympus

    12

    3D-OM

    VHX-7000

    基恩士


    翹曲度測試-熱變形外貌檢測儀Shadow Moiré


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    主要技術指標:


    最大樣品尺寸400×400mm2

    標準誤差小于1μm

    共面性低于1μm

    最大加熱溫度為300 ℃

    最高每秒加熱1 ℃

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    聚焦離子束掃描電子顯微鏡(DB-FIB)


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    主要技術指標:


    電子束系統分辨率:  1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)
    離子束系統分辨率: 5nm(30kV,1pA)
    電子束加速電壓: 0.1-30 kV
    離子束加速電壓: 0.5-30 kV
    電子束流: 4pA-100nA
    離子束流: 1pA-50nA

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    熱點檢測微光顯微鏡(PEM)


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    主要技術指標:


    ?PEM InGaAs探測器
    ?TIVA 1340nm激光源,配置TIVA Laser Pulsing Technique;
    ?12inch測試載樣臺;
    ?Macro Lens 0.8x/2.5x/5x/10x/20x/50x for PEM and TIVA;

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