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    工藝測試芯片


    華進可以提供如下規格的標準假片;如有其它需求,亦可定制。

    RDL        TSV        BumpingOxide WaferCu Wafer


    1. RDL

    規格書

    Item

    Single Side RDL

    Double Side RDL

    Min Si Thickness

    60um

    60um

    Copper Thickness

    >6um

    >6um

    Copper Line/Space

    Min 10um/10um

    Min 10um/10um

    Chip Size

    Target ±20um

    Target ±20um

    Min Chip Size

    0.6mm×0.3mm

    0.6mm×0.3mm

    Tape&Reel

    Min die thickness 90um

    Min die thickness 90um

    結構示意圖:

    20190829_2

    20190829_3


     

    2. TSV

    規格書:

    Item

    TSV 10:100

    TSV 20:200

    Wafer size

    300mm

    300mm

    Si Thickness

    100um±10um

    200um±10um

    Via size

    10um±1.5um

    20um±3um

    Metal layers

    Top side:3
    Bottom side:2

    Top side:3
    Bottom side:2

    Copper Line/Space

    Min 10um/10um

    Min 10um/10um

    Micro Bump Pitch

    Min 40um

    Min 40um


    結構示意圖:

    文本框: TSV20190829_4 


     

    3. Bumping

    規格書:

    Item

    Wafer Bumping

    Wafer Size

    300mm/200mm

    Bump Pitch

    Min 80um

    Bump Size

    Min 50um

    Bump Height

    <80um

    RDL Line/Space

    Min 10um/10um

     

    結構示意圖:

     

    20190830_5

     

    4. Oxide Wafer

    規格書:

    Item

    Oxide Wafer

    Oxide Wafer

    Wafer size

    300mm

    200mm

    SiO2 Thickness

    0.1um~6um

    0.1um~6um

     

     

    5. Cu Wafer

    規格書:

    Item

    Cu Wafer

    Cu Wafer

    Wafer size

    300mm

    200mm

    Cu Thickness

    ≥1um

    ≥1um



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